常見真空腔體技術性能

材質：不銹鋼、鋁合金等

腔(qiang)體適(shi)用溫度(du)范(fan)圍(wei)：-190℃~+1500℃(水冷)

密封方式：氟膠O型圈(quan)或金屬無氧(yang)銅(tong)圈(quan)

出(chu)廠檢測事項：

1、真空漏率檢測(ce)1.3*10-10mbar*l/s

2、水冷水壓檢測：8公斤24小時(shi)無泄(xie)漏檢測.

內外(wai)表面處(chu)(chu)(chu)理(li)：拉絲(si)拋(pao)光(guang)處(chu)(chu)(chu)理(li)、噴砂電(dian)解處(chu)(chu)(chu)理(li)、酸洗(xi)處(chu)(chu)(chu)理(li)、電(dian)解拋(pao)光(guang)處(chu)(chu)(chu)理(li)和鏡面拋(pao)光(guang)處(chu)(chu)(chu)理(li)等.

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿(chuan)電壓與空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)有著(zhu)比較清晰的關系。試(shi)驗標(biao)明，當空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)較小時，擊穿(chuan)電壓跟(gen)(gen)著(zhu)空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)的添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)而(er)線性添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)，但跟(gen)(gen)著(zhu)空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)的進一(yi)步添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)，擊穿(chuan)電壓的添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)減緩，即(ji)真空空隙(xi)發作(zuo)擊穿(chuan)的電場強度跟(gen)(gen)著(zhu)空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)的添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)而(er)減小。當空隙(xi)到達(da)一(yi)定的長(chang)度后，單(dan)靠添(tian)(tian)(tian)加(jia)(jia)空隙(xi)間隔(ge)(ge)(ge)進步耐壓水平已經好(hao)不(bu)容(rong)易(yi)，這時選用(yong)多斷口(kou)反而(er)比單(dan)斷口(kou)有利。進氣(qi)(qi)口(kou)與筒(tong)體成偏疼(teng)放(fang)置，塵土隨氣(qi)(qi)流旋(xuan)轉，因離心力效果(guo)而(er)沉降在(zai)過濾器的底部。

一般以為短空隙下的穿(chuan)主要是場致發射引起的，而長空隙下的的穿(chuan)則主要是微粒(li)效應(ying)所致。

電極資料

真(zhen)空開關作業(ye)在10-2Pa以上的高真(zhen)空，因為此刻氣體分子十(shi)分稀疏，氣體分子的碰撞(zhuang)游離對擊穿已(yi)經不起效(xiao)果，因而擊穿電壓表現出和電極(ji)資料有較強的相(xiang)關性(xing)。

真空(kong)(kong)空(kong)(kong)隙(xi)的(de)擊(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)跟著電(dian)(dian)極(ji)資(zi)料(liao)的(de)不同而不同，研究者發(fa)現擊(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)和資(zi)料(liao)的(de)硬(ying)度與(yu)機械(xie)強度有關。一般來(lai)說，硬(ying)度和機械(xie)強度較(jiao)高的(de)資(zi)料(liao)，往往有較(jiao)高的(de)絕緣(yuan)強度。比如，鋼電(dian)(dian)極(ji)在淬(cui)火(huo)(huo)后硬(ying)度進步，其擊(ji)穿(chuan)電(dian)(dian)壓(ya)較(jiao)淬(cui)火(huo)(huo)前可(ke)進步80%。

此外，擊穿電壓還和(he)陰極資(zi)(zi)料的(de)物理常數如熔點(dian)、比(bi)熱(re)(re)和(he)密(mi)度(du)等正相(xiang)(xiang)關(guan)，即熔點(dian)較高的(de)資(zi)(zi)料其擊穿電壓也較高。比(bi)照熱(re)(re)和(he)密(mi)度(du)而言亦(yi)然。這一問(wen)題(ti)的(de)實質是(shi)在相(xiang)(xiang)同熱(re)(re)能的(de)效(xiao)果(guo)下，資(zi)(zi)料發作熔化的(de)概率越大，則擊穿電壓越低。

半導體真空腔體制造技術 

真(zhen)空(kong)腔(qiang)(qiang)體(ti)在薄膜涂層、微電子、光學器件和材料制造中，是一種(zhong)能適應高(gao)真(zhen)空(kong)環境的(de)特殊容器。真(zhen)空(kong)腔(qiang)(qiang)體(ti)通常包(bao)括一系(xi)列部品——如(ru)鐘(zhong)形罩、基板、傳動軸以及輔助井——這些構成一個完整的(de)真(zhen)空(kong)腔(qiang)(qiang)體(ti)。

復(fu)雜(za)的(de)真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)腔體通常需(xu)要定制，即針對應用(yong)終端進行(xing)專門的(de)設(she)計(ji)和制作(zuo)。某些(xie)常見的(de)真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)腔體已經過預先設(she)計(ji)，如(ru)手(shou)套箱(xiang)、焊(han)接(jie)室、脫(tuo)氣(qi)(qi)(qi)箱(xiang)、表面分析真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)腔等(deng)。例(li)如(ru)脫(tuo)氣(qi)(qi)(qi)箱(xiang)和手(shou)套箱(xiang)一(yi)般(ban)采(cai)用(yong)低真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)環境，可用(yong)于(yu)焊(han)接(jie)，或用(yong)于(yu)塑料(liao)制品(pin)、復(fu)合材料(liao)層壓板、封(feng)裝組件等(deng)的(de)脫(tuo)氣(qi)(qi)(qi)。影響真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)絕緣水平的(de)主要因素(su)電(dian)極(ji)資料(liao)真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)開關作(zuo)業在10-2Pa以上的(de)高(gao)真(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)(kong)，因為此刻氣(qi)(qi)(qi)體分子十(shi)分稀疏，氣(qi)(qi)(qi)體分子的(de)碰撞(zhuang)游(you)離對擊(ji)穿已經不起效(xiao)果，因而(er)擊(ji)穿電(dian)壓表現出和電(dian)極(ji)資料(liao)有(you)較(jiao)強的(de)相關性。

真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)設(she)(she)備包含很(hen)多組件(jian)，如真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)腔體，真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)密封傳(chuan)導(dao)件(jian)，視口設(she)(she)置，真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)傳(chuan)感器，真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)顯示表，沉積(ji)系統，蒸(zheng)(zheng)發源和(he)蒸(zheng)(zheng)發材料，濺鍍靶材，等(deng)離(li)子刻(ke)蝕設(she)(she)備，離(li)子注入設(she)(she)備，真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)爐，專用真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)泵，法蘭，閥門(men)和(he)管件(jian)等(deng)。真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)設(she)(she)備常(chang)用于脫氣，焊接，制(zhi)備薄膜涂層，生(sheng)產半導(dao)體/晶圓(yuan)、光學器件(jian)以及(ji)特殊材料等(deng)。真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)腔體常(chang)用的清(qing)(qing)洗(xi)方法1、放電清(qing)(qing)洗(xi)放電清(qing)(qing)洗(xi)一般用于高真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)、超高真(zhen)(zhen)(zhen)(zhen)空(kong)腔體清(qing)(qing)洗(xi)中。